低膨張基板

膨張係数を抑えた基板です。 温度変化の大きな環境下では、基板とパッケージの熱膨張係数が一致していないと、 ストレスが加わり、はんだ接合部に亀裂が生じやすく、接続信頼性が低下します。

パッケージとプリント基板の熱膨張係数を近づけるため、プリント基板の低膨張化が必要となります。

CIC基板


CIC部の材料構成

宇宙空間での昼夜の激しい温度差に耐性を持たせるために開発したメタル基板です。
内層の一部に熱膨張係数の小さい合金「インバー(鉄とニッケルの合金)」を採用しています。

基板の表層近くに銅・インバー・銅(Cooper-Inver-Cooper)の3層構造の材料を配置することで表層部の膨張係数を改善、35%の低膨張化を達成しました。

宇宙空間での高信頼性確保のために各種信頼性評価を実施し、高機能プリント基板をセラミックパッケージ部品並みの膨張率に近づけることに成功しています。

CCC基板


CCC部の材料構成

CCC基板は当社の固有技術でありライセンス取得技術です。
火星探査衛星に向け独自に開発しました。

従来型のCIC基板のインバー素材には鉄とニッケルの合金を採用しているため、火星の磁気的環境には不向きでした。

そこで当社では、インバーと同様の低膨張性を持たせながら磁気に強い構造を模索しました。
インバーの代わりに熱膨張係数がマイナス特性のカーボンを採用したCCC (Cooper-Carbon-Cooper)リジッド基板を実現させました。

軽量化にも寄与しています。

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